سپس گزیده ای از ترجمه را بررسی کنید!
در این مقاله، یک کنترل کننده برای خازن های سری با سوییچ تریستوری (TSSC) ارایه می گردد. کنترل کننده در نظر دارد، با میرا کردن نوسانات توان درون-منطقه ای و با بهبود پایداری گذرای سیستم، سیستم قدرت را پایدار نماید. به علاوه، یک ویژگی پخش بار در این کنترل کننده قرار داده شده است. کنترل کننده میراکننده نوسانات توان، مبنی بر یک قانون کنترل غیرخطی طراحی شده است، درحالیکه ویژگی بهبود پایداری گذرا بصورت حلقه باز کار می کند. کنترلر میراگر، تطبیقی بوده و پارامترهای سیستم قدرت را بر طبق یک مدل کلی ساده شده از یک سیستم قدرت دو-ناحیه ای، تخمین می زند. این برای سیستم هایی طراحی شده است که دارای یک حالت غالب با میرایی ضعیف نوسانات توان می باشند. در این مقاله، یک بررسی بر روی کنترلر توسط شبیه سازی های دیجیتالی سیستم قدرت دو-ناحیه ای چهار-ماشینه، و سیستم قدرت 23-ماشینه انجام می پذیرد. نتایج نشان می دهند که کنترل کننده، پایداری هر دو سیستم تحت آزمایش را بطور چشمگیری در تعدادی موارد خطا در سطوح متفاوت پخش بار اینرسی، بهبود می بخشد. اصطلاحات مربوط: کنترل پخش بار، میرایی نوسانات توان (POD)، خازن های سری با کنترل تریستوری (TCSC)، خازن های سری با سوییچ تریستوری (TSSC)، پایداری گذرا.
طی چند دهه اخیر، ادوات سیستم های انتقال ac انعطاف پذیر (اودات FACTS)، گزینه ای برای بهبود پایداری و حل مشکل پرباری در سیستم های قدرت امروز که معمولا تا سرحد محدودیت های امنیتیشان پربار می شوند بوده و هستند. این ادوات که بر پایه الکترونیک قدرت هستند، با کنترل تزریق توان اکتیو و راکتیو در سیستم قدرت، یا با تغییر مشخصه های شبکه بوسیله کنترل راکتانس های خط یا زاویه های ولتاژ در نقاط بحرانی، عمل می کنند. در این مقاله، یک کنترل کننده برای خازن های سری با سوییچ تریستور (TSSC) ارایه می شود. این ابزار، قادر به تغییر راکتانس ظاهری یک خط، در چند مرحله گسسته، می باشد. این کنترل کننده با استفاده از یک تکنیک پیوسته توسعه داده شده است، که آن را برای استفاده با ادواتی همچون خازن های سری با کنترل تریستور (TCSC) نیز که دارای کنترل راکتانس پیوسته هستند مناسب می سازد.
در نهایت ترجمه را خریداری کنید!
دانلود ترجمه فارسی -- قیمت: 19500 تومانسپس گزیده ای از ترجمه را بررسی کنید!
در این مقاله، ما مشخصات ساخت یک تکنولوژی CMOS نانووایر با قابلیت تنظیم ولتاژ، به منظور بالا بردن انعطاف در طراحی مدار و کاربردهای منطقی قابل تنظیم مجدد را گزارش می دهیم. ساختارهای NW سیلیکونی با اتصالات Schotty_S/D روی لایه سیلیکون-بر-عایق (SOI)، به منظور ساخت ترانزیستورهای CMOS-مانند تک قطب نابسته به عامل ناخالصی استفاده شده اند. انتخاب نوع وسیله (PMOS یا CMOS) با بکاربری یک بایاس بک-گیت انجام شده است. قابلیت برنامه نویسی چند بعدی این روش در ساخت اینورتر VS-NW-CMOS نشان داده شده است.
نانووایرهای سیلیکون (Si_NW) شدیدن توسط گروه های تحقیقاتی مورد بررسی قرار گرفته و به عنوان جایگزین امیدوار کننده ای برای تکنولوژی های ترانزیستور بر مبنایMOSFET استاندارد، در نظر گرفته شدند؛ نظر باینکه کوچک کردن مقیاس های هندسی کلاسیک وسایل ها MOSFET به بن بست رسیده اند [1]. اگرچه، از آنجایی که ترانزیستورهای نوع n ونوع p سنگ بنای اصلی منطق MOS مکمل امروزی _یعنی ساده ترین وسیله آن، اینورتر [3] می باشد؛ آنطور که پیداست ویژگی ambipolar [2] نانو وایرها یک سد راه می باشند؛ ساخت از پایین به بالای NW مورد بحث ما، روش رشد گاز-مایع-جامد، اغلب با تکنولوژی استاندارد CMOS، بدلیل مواد کاتالیزور استفاده شده، و نیز نیاز دماهای رشد بالا در طی فرآیند ساخت_ سازگار نمی باشد. مشکلات حل نشده دیگری نیز در طی افزودن ناخالصی ظاهر می شوند (برای مثال تجزیه عامل ناخالصی) [4 و 5]، بنابراین استفاده از نانووایرهای توسعه یافته در مجموعه های مدار مجتمع با اندازه های بزرگ، خیلی امکان پذیر نمی باشد. همان طور که خواهید دید، بیشتر این دغدغه ها می تواند با ساخت بالا-به-پایین وسایل Si-NW تک قطب، با کنتاکت های Schottky برای درین و سورس، برطرف شود. به علاوه، روش ما بر مبنای کنترل با نوع-ترانزیستور (یعنی PMOS یا NMOS) وسیله، توسط ولتاژ back-gate می باشد؛ که منجر به این می شود که راه برای مشخصه های ترانزیستوری قابل کلید زنی، تغییر یافتنی باشد.
در نهایت ترجمه را خریداری کنید!
دانلود ترجمه فارسی -- قیمت: 14500 تومانسپس گزیده ای از ترجمه را بررسی کنید!
در این مقاله، جمع کننده کامل (FA) نوینی ارائه می گردد که برای عملکرد با توانهای بسیار پایین بهینه سازی شده است. مدار مذکور، بر پایه گیتهای XOR اصلاح شده ای طراحی گشته که با هدف کمینه سازی مصرف توان در ناحیه زیرآستانه ای عمل می کنند. نتایج شبیه سازی شده با مدلهای استاندارد CMOS 65 نانومتر انجام شده است. نتایج شبیه سازی، یک بهبود 5 تا 20 درصدی را در بازه فرکانسی 1Khz تا 20MHz و ولتاژهای تغذیه زیر 0.3V نشان میدهد.
تغییر مقیاس ولتاژ تغذیه یکی از موثرترین راهها در کاهش مصرف توان مدارهای دیجیتال است. کارایی این روش بعلتوجود رابطه درجه دوم میان مصرف توان دینامیک و ولتاژ تغذیه می باشد. اما در این روش، عملکرد مدار به خاطر رابطه معکوس تاخیر مدار با سطح جریان کاهش می یابد. به همین علت، ولتاژ آستانه را در فرایندهای زیرمیکرونی عمیق برای رفع این مشکل کاهش می دهند. کاهش ولتاژ آستانه، منجر به افزایش نمایی جریان زیرآستانه می گردد که امکان استفاده از این ناحیه (زیرآستانه) را در مدارهای منطقی ارزیابی - با کران نویز قابل قبول می دهد. بدون اعمال روشهای خاص، عملکرد زیرآستانه ای سبب کاهش سرعت پاسخگویی (به سبب کاهش جریان) می شود. جریان مورد ارزیابی در این حالت، جریانی است که در ولتاژ گیت سورس کوچکتر یا مساوی ولتاژ آستانه و ولتاژ تغذیه نزدیک به ولتاژ آستانه رخ می دهد.
در نهایت ترجمه را خریداری کنید!
دانلود ترجمه فارسی -- قیمت: 14500 تومانسپس گزیده ای از ترجمه را بررسی کنید!
در این مقاله، جمع کننده کامل (FA) نوینی ارائه می گردد که برای عملکرد با توانهای بسیار پایین بهینه سازی شده است. مدار مذکور، بر پایه گیتهای XOR اصلاح شده ای طراحی گشته که با هدف کمینه سازی مصرف توان در ناحیه زیرآستانه ای عمل می کنند. نتایج شبیه سازی شده با مدلهای استاندارد CMOS 65 نانومتر انجام شده است. نتایج شبیه سازی، یک بهبود 5 تا 20 درصدی را در بازه فرکانسی 1Khz تا 20MHz و ولتاژهای تغذیه زیر 0.3V نشان میدهد.
تغییر مقیاس ولتاژ تغذیه یکی از موثرترین راهها در کاهش مصرف توان مدارهای دیجیتال است. کارایی این روش بعلتوجود رابطه درجه دوم میان مصرف توان دینامیک و ولتاژ تغذیه می باشد. اما در این روش، عملکرد مدار به خاطر رابطه معکوس تاخیر مدار با سطح جریان کاهش می یابد. به همین علت، ولتاژ آستانه را در فرایندهای زیرمیکرونی عمیق برای رفع این مشکل کاهش می دهند. کاهش ولتاژ آستانه، منجر به افزایش نمایی جریان زیرآستانه می گردد که امکان استفاده از این ناحیه (زیرآستانه) را در مدارهای منطقی ارزیابی - با کران نویز قابل قبول می دهد. بدون اعمال روشهای خاص، عملکرد زیرآستانه ای سبب کاهش سرعت پاسخگویی (به سبب کاهش جریان) می شود. جریان مورد ارزیابی در این حالت، جریانی است که در ولتاژ گیت سورس کوچکتر یا مساوی ولتاژ آستانه و ولتاژ تغذیه نزدیک به ولتاژ آستانه رخ می دهد.
در نهایت ترجمه را خریداری کنید!
دانلود ترجمه فارسی -- قیمت: 14500 تومانسپس گزیده ای از ترجمه را بررسی کنید!
در این مقاله ما این موضوع را در نظر می گیریم که آیا یک حیوان و یا یک ایجنت (یک’ shadower’) قادر است تا بصورت فعال حرکات خود را مستتر کند در عین حال که حیوان و یا ایجنت دیگری را تعقیب می کند. نشان داده می شود که تحت یک شرایط خاص، تعقیب کننده چنانچه در یک مسیر به گونه ای حرکت کند که نور تولیدشده توسط یک شی ساکن از منظر شی تحت تعقیب را تقلید کند، می تواند حرکت خود را مخفی کند. برای تعیین مسیرهایی که shadower را قادر سازد تا حین تعقیب shadowee، یا حین حرکت به سمت یک هدف ساکن یا متحرک، بتواند حرکت خود را مستتر کند، الگوریتم هایی توسعه یافته و تست شدند. استراتژی های ارائه شده بدون توجه به اینکه shadower در یک پس زمینه ساختاریافته و یا همگن در نظر گرفته شود، کار می کنند. بررسی موضوع استتار فعال جنبشی در مفاهیمی چون رفتار تعقیب کنندگی در زنبورها، دستگیری طعمه توسط شکارچیان و مانورهای نظامی قابل توجه و مورد علاقه است.
وقتی یک حیوان و یا یک روبات حرکت می کند، تصاویر اشیاء پیرامون روی شبکیه چشم (یا روی سطح تصویربرداری دوربین روبات) حرکت می کنند، حتی اگر این اشیا از لحاظ فیزیکی بصورت ساکن باشند. با این حال، برخی حیوانات من جمله حشرات وقتی درحال حرکت باشند قادر به تشخیص اشیاء ساکن و متحرک هستند. معمولا، جریان نور تابیده شده از یک شی متحرک با نور حاصل از اشیاء ساکن متفاوت است. بطور واضح، سیستم های بصری بیشتر حیوانات قادر به تشخیص این تفاوت هستند، اما این موضوع جای سوال دارد: چگونه یک حیوان (یا ایجنت) می تواند بدون دور کردن خود با حرکت خویش، دیگری را تعقیب یا ‘shadow’ کند؟
در نهایت ترجمه را خریداری کنید!
دانلود ترجمه فارسی -- قیمت: 14500 تومان