سپس گزیده ای از ترجمه را بررسی کنید!
انرژی بدست آمده از منابع تجدید پذیر این روزها بسیار مهم شده اند، و این اساسا بدلیل سهم ناچیزشان در تولید گازهای گلخانه ای است. مساله ای که مطرح می شود این است که چطور می توان این منابع جدید را به شبکه های سنتی برق اضافه کرد، بطوری که بازده و قابلیت اطمینان این سیستم های تولید توزیع شده (DG) بیشینه شود. سخت افزار مورد نیاز برای این کار بطور کلی یک اینورتر منبع ولتاژی (VSI) است که یک بار معمولی مانند کاربردهای تک-فاز مسکونی و تجاری را تامین کند. همچنین، فرآیند بهینه سازی نیازمند تجزیه تحلیل های معمولی توان می باشد. این مقاله توسعه و ارزیابی های آزمایشی یک سیستم کنترل توان برای یک VSI متصل به شبکه تک-فاز، شامل تحلیل توان را، با استفاده از یک پردازشگر برای پیاده سازی کنترل یک مدار آرایه کیت قابل برنامه ریزی میدان (FPGA) ارایه می دهد. ساختار جدید سخت افزار شبکه عصبی خطی تطبیقی (ADALINE)، پیاده سازی الگوریتم های سیستم قدرت را ممکن ساخته، و همچنین اجازه تحلیل زمان-واقعی هارمونیک های مرتبه-بالا را بدون افزایش دادن ناحیه پیاده سازی مدار FPGA، خواهد داد. این ویژگی ها برای واسط های الکترونیک قدرتی DG جدید ایده آل می باشد، که می توان از آن نه تنها برای فرستادن توان اکتیو، بلکه برای جبران سازی هارمونیک ها و توان راکتیو نیز، استفاده کرد. شبیه سازی و نتایج تجربی طرح های پیشنهادی با فرکانس های ثابت و متغیر نیز، پیوست شده اند تا اعتبار آنها مورد تاکید قرار گیرد.
اصطلاحات مربوط: شبکه عصبی مصنوعی (ANN)، تولید توان توزیع شده، تجزیه و تحلیل توان، آرایه های منطقی قابل برنامه ریزی، اندازه گیری توان، اعوجاج هارمونیکی کل.
این روزها، بهره برداری عظیم از منابع انرژی توزیع شده (DER) مبنی بر منابع تجدید پذیر، برای کاهش مسایل مربوط به انتشار گاز گلخانه ای و نیز برای افزایش قابلیت اطمینان و توانایی سیستم های قدرت واقعی و آینده، بسیار مهم شده است. آنگاه، بهره برداری عظیم از DER توسط دولت ها و صنعت، در سراسر دنیا ارتقا یافته است.
توسعه سیستم های با انرژی تجدیدپذیر و فن آوری های شبکه هوشمند، برای ایجاد امکان برای متصل کردن DER به سیستم های قدرت متمرکز شده سنتی، بایسته می باشد. این پیشرفت های فنی، نفوذ بالای تولید توزیع شده (DG) را موجب می شود.
در نهایت ترجمه را خریداری کنید!
دانلود ترجمه فارسی -- قیمت: 22500 تومانسپس گزیده ای از ترجمه را بررسی کنید!
اکتشاف معدنی با استفاده ازZ-TEM یا Z- Axis Tipper Electromagnetics، یک سیستم AFMAG هوایی، بوسیله مدلسازی عددی انواع هدف بررسی می شود. مدلسازی عددی برای برنامه ریزی نقشه برداری در بررسی ارتفاع نقشه برداری، فاصله خطی و پاسخ های مورد انتظار هدف ها مورد استفاده قرار می گیرد. دانستن پاسخ Z-TEM یک نوع رسوب کشف شده، به تفسیر نتایج کمک می کند. مدلسازی عددی نشان می دهد که سیستم Z-TEM برای رسوب های عمیق و بزرگ از حساسیت پائین تا بالا مثل مس و رسوبات SETEX مناسب می باشد.
Z-TEM بصورت تجاری از سال 2007 مورد استفاده قرار گرفت. Exploration Syndicate and Geotech. تعدادی از نقشه برداری های تجاری و نمایش ها را که استراتژی کشف بر اساس انتخاب بهترین ناحیه را که خود بر اساس ارزیابی مدل های زمین شناسی و ارزیابی مناسب بودن Z-TEM برای نوع هدف خاصی می باشند را ارائه داده است.
Z-TEM زمین های فعال و طبیعی یا غیر فعال، زمین را به عنوان منبع انرزی ارسال شده استفاده می کنند. این زمین های طبیعی مسطح هستند و به علت رفتارشان در حالت پخش و انتشار، افقی هستند. هر زمین EM قائم بوسیله هدایت الکتریکی در زمین تولید می شود. سیستم Z-TEM زمین EM قائم در امتداد خطوط نقشه برداری اندازه گیری می کند و از ایستگاه اصلی برای اندازه گیری زمین های افقی استفاده می کند.
مدلسازی عددی پاسخ های Z-TEM روی رسوبات به این منظور انجام می شود که با توجه و بررسی پاسخ های دریافتی از رسوبات، به تفسیر داده پرداخت. داده همچنین برای تعیین پارامترهای اخذ داده مانند فاصله خطی، فرکانس یا تکرارهای استخراج شده و ارتفاع نقشه برداری استفاده می شود. به این منظور تعدادی از رسوبات کلاس جهانی به عنوان رسوب مس SPENCE و رسوب سولفید حجیمRed Dog SEDEX برای شبیه سازی عددی انتخاب می شود.
در نهایت ترجمه را خریداری کنید!
دانلود ترجمه فارسی -- قیمت: 11500 تومانسپس گزیده ای از ترجمه را بررسی کنید!
از باطری خانه ذخیره کننده انرژی (BESS) برای مقاصد فعلی هموار کردن (منظور ازبین بردن نوسانات) نوسانات تولید انرژی بادی و خورشیدی استفاده می شود. این سیستم های قدرت هیبرید مبنی بر BESS، به یک استراتژی کنترل مناسبی که بتواند بصورت موثری سطوح توان خروجی و حالت شارژ (SOC) باطری را تنظیم کند، نیازمندند. این مقاله، نتایج بررسی شبیه سازی سیستم قدرت هیبرید بادی/فتوولتاییک (PV) /BESS را که به منطور بهبود عملیات هموار کردن شکل موج توان تولیدی خروجی، و اثربخش بودن کنترل SOC باطری انجام شده است، ارایه می دهد. یک روش کنترل هموار برای کاهش نوسانات توان خروجی هیبریدی بادی/PV و نیز تنظیم SOC باطری تحت شرایطی خاص، در اینجا ارایه شده است. یک روش جدید تخصیص توان لحظه ای مبنی بر BESS نیز پیشنهاد شده است. فواید این روش ها نیز با استفاده از نرم افزار MATLAB/SIMULINK بررسی شده است.
اصطلاحات مربوط: کنترل هموار سازگار، باطری خانه ذخیره انرژی (BESS)، تولید توان خورشیدی، حالت شارژ (SOC)، تولید توان بادی.
در سال های اخیر، تولید برق با استفاده از انرژی باد و خورشید (PV) توجه چشمگیری را در سراسر دنیا به خود واداشته است. شرکت دولتی شبکه برق چین (SGCC)، در حال ساخت پروژه نمایشی مشترک خطوط انتقال، و پست ذخیره انرژی بادی/PV/باطری ای (BESS) ملی بوده، و این پروژه در منطقه ژآنگبی، هبی در چین واقع است. ژآنگبی متعلق به نیروگاه بادی 10 ملیون کیلوواتی چین می باشد. پروژه نمایشی در سه مرحله برنامه ریزی شده است. اکنون در مرحله نخست قرار داشته. تا پایان ماه دسامبر سال 2011، یک مزرعه بادی 100 مگاواتی، یک مزرعه 40 مگاواتی، و یک BESS لیتیومیونی 14-MW/63-MWh در ژانگبی ساخته خواهد شد.
سیستم ذخیره سازی انرژی باطری، قادر به ارایه پاسخ های مدیریت انرژی انعطاف پذیری است که می تواند کیفیت توان سیستم های تولید توان هیبریدی انرژی تجدیدپذیر را بهبود بخشد. بدین منطور، روش های کنترلی و پیکربندی های زیادی باید برای سیستم های ذخیره سازی انرژی هیبریدی _مانند یک سیستم ذخیره سازی انرژی باطری، یک سیستم مغناطیسی ابررسانا (SMES)، یک سیستم انرژی چرخ طیار (FES)، یک سیستم انرژی خازنی (ECS)، و یک سیستم هیبریدی پیل سوختی/الکترولایزر_ ارایه شده اند تا نوسانات توان را کاهش داده یا کیفیت توان را بهبود بخشند.
در نهایت ترجمه را خریداری کنید!
دانلود ترجمه فارسی -- قیمت: 21500 تومانسپس گزیده ای از ترجمه را بررسی کنید!
همزمان با ادامه توسعه تکنولوژی نیمه هادی ها، وسایل منطقی نیمه هادی اکسید-فلزی مکمل (CMOS)، در مدارات دیجیتال و نیز ساخت آی-سی ها در مقیاس های بسیاربزرگ (VLSI)، استفاده می شود؛ و این بدلیل مصرف توان استاتیک کم و کاهش نویز خوب آن می باشد. بدبختانه، پردازش پیچیده، هزینه های ساخت زیاد، و پویایی تطبیق نیافته، مسایل جدی وسایل منطقی CMOS سیلیکونی می باشند. همچنین، زمانی که ابعاد وسایل کوچک می شوند، به نظر می رسد که پهنای بیشتر PMOSFETها به سختی بتوانند به چگالی زیاد ساخت مدار مجتمع، دست یابند. تعدادی چند از مطالعات بر روی CMOS گزارش شدند که می توانند مشکلات گفته شده در بالا را _مثلا ساخت وسیله بر روی لایه سلیکون-روی-عایق (SOI) [1]، و روی سطح ژرمانیوم روی عایق (GeOI) [2]، و یا روی مواد III-V [3] و [4]، یا استفاده از تکنولوژی مهندسی فشار و ساخت آی-سی سه بعدی [5] _ را آسان کنند. با این حال، مسایل مربوط به جبران سازی پهنای PMOSFET و فرآیندهای پیچیده آن هنوز باقی است.
در دهه 1980، Yasuhisa Omura ترانزیستور گیت-جدا نوع-دوقطبی غیر مستقیم جانبی (LUBISTOR) را [6] و [7] که همانند یک دیود P-I-N کنترل شده کار می کرد، معرفی کرد. همچنین، ترانزیستورهای اثر میدان تونلی P-I-N (TFET) بخاطر مصرف توان پایینشان، تا بامروز مورد استقبال قرار گرفته اند. این به خاطر نوسان زیرآستانه سراشیبی (S. S.) و نسبت جریان ION/loFF بالای [8] و [9] مزایای TFETها برای مقیاس بندی ولتاژ منبع توان، می باشد. اخیرا، JL NMOSFTها [10] هم بسیار پر طرفدار بوده اند. نداشتن اتصال، ساخت آنها را به دلیل نبود اتصالات سورس/درین S/D آسانتر کرده است. به علاوه، زمانی که ابعاد وسیله کوچکتر می شوند، اثرات کانال-کوتاه (SCE) و کاهش مانع القای-درین (DIBL)، می تواند به اندازه کافی در JL NMOSFETها کاهش داده شود.
در نهایت ترجمه را خریداری کنید!
دانلود ترجمه فارسی -- قیمت: 8500 تومانسپس گزیده ای از ترجمه را بررسی کنید!
در این مقاله، در مورد چالش های مختلف کار در ناحیه زیرآستانه ای در مدارهای با فناوری CMOS 65 نانومتر، بحث می شود. مدارهای گوناگونی برای یافتن بهترین آرایش در ناحیه کاری زیرآستانه ای مورد بررسی قرار می گیرد و در کار با ولتاژهای تغذیه بسیار پایین شبیه سازی می گردد. برای پشتیبانی از مباحث نظری انجام شده، آرایش های گوناگون مداری مورد آزمایش و شبیه سازی قرار می گیرد. جنبه های گوناگون مدارهای فلیپ فلاپ با جزییات تشریح می شود تا بهترین توپولوژی برای استفاده در ولتاژهای تغذیه بسیار پایین و کاربردهای بسیار کم توان بررسی شود. نتایج شبیه سازی نشان می دهد مصرف توان در مدارهای پیشنهادی این مقاله، مقایسه با دیگر فلیپ فلاپ ها حداقل 23% کاهش می یابد. همچنین زمان راه اندازی و زمان نگهداری نیز بهبود می یابد.
ولتاژ پایین، کم توان، زیرآستانه، مقیاس نانو
در چند سال اخیر، تلاشهای زیادی در جهت تحقیق و توسعه مدارهای کاربردی کم توان برای گرههای حسگری بی سیم تغذیه شده با باتری صورت گرفته است. اخیرا تعدادی از مقالات در این زمینه، در رابطه با استفاده از حوزه زمانی ADC به جای حوزه دامنه بحث کرده اند [1] – [4]. در مقالات مذکور، مبدل ها را می توان تماما از مولفه مداری دیجیتال ایجاد کرد، اما این کار شرایط بسیار بسته ای را برای مقایسه گر و مدار نمونه بردای ایجاد خواهد کرد. برای مطابقت با این شرایط، باید فلیپ فلاپ های کم توان و پرسرعت با احتمال کم زیرپایداری طراحی شود. در سالهای اخیر، با کوچک شدن مقیاس های مداری در ابعاد اتمی، جریان های نشت مداری افزایش چشمگیر داشته است که منجر به اتلاف توان بالاتر می شود.
در نهایت ترجمه را خریداری کنید!
دانلود ترجمه فارسی -- قیمت: 16500 تومان